SSD Samsung 990 Pro с радиатором 4TB MZ-V9P4T0GW в Минске

Версия NVMe 2.0 Объём 4 ТБ Форм-фактор M.2 Производитель Samsung DRAM-буфер Да Интерфейс PCI Express 4.0 x4 Размеры устройств M.2 2280 Объем DRAM-буфера 1024 МБ Тип поставки RTL (в коробке) Тип микросхем Flash 3D TLC NAND Ресурс записи 2400 TBW Аппаратное шифрование AES 256bit Время наработки на отказ (МТBF) 1 500 000 ч Толщина 8.2 мм Охлаждение Да Подсветка Нет Совместимость с PS5 Да Скорость последовательного чтения 7 450 МБайт/с Скорость последовательной записи 6 900 МБайт/с Средняя скорость случайного чтения 1 600 000 IOps Тип охлаждения радиатор Средняя скорость случайной записи 1 550 000 IOps Энергопотребление (чтение/запись) 5.4 Вт Энергопотребление (ожидание) 0.05 Вт Дата выхода на рынок 2023 г.